A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
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A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()