對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。