單項選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測強儀上下刀片中心間距為（）。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
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1.單項選擇題筒壓法試樣加載時應均勻加載至規(guī)定的筒壓荷載值，水泥砂漿，石粉砂漿的筒壓荷載值應為（）。
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
2.單項選擇題筒壓法取樣后使用手錘擊碎樣品時，應篩取5~15mm的砂漿顆粒約（），烘干后冷卻至室溫備用。
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
3.單項選擇題筒壓法在每一個測區(qū)，應從距墻表面（）以里的水平灰縫中鑿取砂漿約4000g。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
4.單項選擇題推出法旋轉(zhuǎn)加荷桿對試件施加荷載時，加荷速度宜控制在（）。
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
5.單項選擇題切制試件法的測試步驟中，以下哪個不正確（）。
A.試件搬運過程中，應防止碰撞，并應采取減小振動的措施
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿，并應伸進撬棍，應將水平灰縫撬松動，然后應小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題