A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
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A、使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測(cè)量砌體變形的初讀數(shù)時(shí),應(yīng)測(cè)量3次,并應(yīng)取其平均值
B、開槽時(shí)不應(yīng)操作測(cè)點(diǎn)部位的墻體及變形測(cè)量腳標(biāo)
C、槽的四周應(yīng)清理平整,并應(yīng)除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測(cè)試工作
A、未能取得同條件養(yǎng)護(hù)試件強(qiáng)度
B、同條件養(yǎng)護(hù)試件強(qiáng)度被判為不合格
C、現(xiàn)場(chǎng)混凝土結(jié)構(gòu)構(gòu)件未按規(guī)定養(yǎng)護(hù)
D、鋼筋保護(hù)層厚度不滿足要求
A.在選擇切割線時(shí),宜選取豎向灰縫上、下對(duì)齊的部位
B.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
C.應(yīng)將切割機(jī)的鋸片(鋸條)對(duì)準(zhǔn)切割線,并垂直于墻面,然后應(yīng)啟動(dòng)切割機(jī),并應(yīng)在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過程中,切割機(jī)不得偏轉(zhuǎn)和移位,并應(yīng)使鋸片(鋸條)處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
A.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機(jī)應(yīng)操作靈活,并應(yīng)固定和移動(dòng)方便
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
PN結(jié)的基本特性是()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。