A、未能取得同條件養(yǎng)護試件強度
B、同條件養(yǎng)護試件強度被判為不合格
C、現場混凝土結構構件未按規(guī)定養(yǎng)護
D、鋼筋保護層厚度不滿足要求
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A.在選擇切割線時,宜選取豎向灰縫上、下對齊的部位
B.應在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔,并應將擬切制試件捆綁牢固
C.應將切割機的鋸片(鋸條)對準切割線,并垂直于墻面,然后應啟動切割機,并應在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過程中,切割機不得偏轉和移位,并應使鋸片(鋸條)處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔,并應將擬切制試件捆綁牢固
A.機架應有足夠的強度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機應操作靈活,并應固定和移動方便
C.切割機的鋸切深度不應小于240mm
D.切割機宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機的鋸切深度不應小于370mm
A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
A、《砌體結構設計規(guī)范》
B、《砌體結構工程施工質量驗收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質量驗收統(tǒng)一標準》
D、《砌體基本力學性能試驗方法標準》
E、《砌體工程現場檢測技術標準》
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列是晶體的是()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()