A.應在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對變形測量腳標,腳標應位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔4條水平灰縫,宜取250mm
C、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫,宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫,宜取270mm~300mm
E、測試前應記錄標距值,并應精確至0.1mm
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A.應鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿,并應伸進撬棍,應將水平灰縫撬松動,然后應小心抬出試件
D.試件搬運過程中,應防止碰撞,并應采取減小振動的措施
E.需要長距離運輸試件時,宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
A、使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時,應測量3次,并應取其平均值
B、開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
C、槽的四周應清理平整,并應除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
A、未能取得同條件養(yǎng)護試件強度
B、同條件養(yǎng)護試件強度被判為不合格
C、現(xiàn)場混凝土結(jié)構(gòu)構(gòu)件未按規(guī)定養(yǎng)護
D、鋼筋保護層厚度不滿足要求
A.在選擇切割線時,宜選取豎向灰縫上、下對齊的部位
B.應在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔,并應將擬切制試件捆綁牢固
C.應將切割機的鋸片(鋸條)對準切割線,并垂直于墻面,然后應啟動切割機,并應在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過程中,切割機不得偏轉(zhuǎn)和移位,并應使鋸片(鋸條)處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔,并應將擬切制試件捆綁牢固
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表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。