A.抗震設(shè)防
B.加強(qiáng)房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強(qiáng)房屋耐久性
D.加強(qiáng)房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
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A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對(duì)變形測(cè)量腳標(biāo),腳標(biāo)應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫,宜取250mm
C、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取270mm~300mm
E、測(cè)試前應(yīng)記錄標(biāo)距值,并應(yīng)精確至0.1mm
A.應(yīng)鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿,并應(yīng)伸進(jìn)撬棍,應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng),然后應(yīng)小心抬出試件
D.試件搬運(yùn)過程中,應(yīng)防止碰撞,并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
E.需要長距離運(yùn)輸試件時(shí),宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
A、使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測(cè)量砌體變形的初讀數(shù)時(shí),應(yīng)測(cè)量3次,并應(yīng)取其平均值
B、開槽時(shí)不應(yīng)操作測(cè)點(diǎn)部位的墻體及變形測(cè)量腳標(biāo)
C、槽的四周應(yīng)清理平整,并應(yīng)除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測(cè)試工作
A、未能取得同條件養(yǎng)護(hù)試件強(qiáng)度
B、同條件養(yǎng)護(hù)試件強(qiáng)度被判為不合格
C、現(xiàn)場(chǎng)混凝土結(jié)構(gòu)構(gòu)件未按規(guī)定養(yǎng)護(hù)
D、鋼筋保護(hù)層厚度不滿足要求
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()