A.試件運至試驗室后，應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿，然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1：3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1：1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時，應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座
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A.抗震設(shè)防
B.加強房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強房屋耐久性
D.加強房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對變形測量腳標，腳標應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫，宜取250mm
C、普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取270mm~300mm
E、測試前應(yīng)記錄標距值，并應(yīng)精確至0.1mm
A.應(yīng)鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動，然后應(yīng)小心抬出試件
D.試件搬運過程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動的措施
E.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
A、使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應(yīng)測量3次，并應(yīng)取其平均值
B、開槽時不應(yīng)操作測點部位的墻體及變形測量腳標
C、槽的四周應(yīng)清理平整，并應(yīng)除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
改良西門子法的顯著特點不包括（）