A、手動油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
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A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測試結(jié)果
D、保證方便
A、靜力安全鑒定及危房鑒定
B、抗震鑒定
C、大修后的可靠性鑒定
D、房屋改變用途、改建、加層或擴建前的專門鑒定
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m;
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應(yīng)與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。