A.收集被檢測(cè)工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
B.工程建設(shè)時(shí)間
C.進(jìn)一步明確檢測(cè)原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測(cè)情況
E.檢測(cè)環(huán)境
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你可能感興趣的試題
A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號(hào)
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時(shí)間
A.計(jì)算
B.分析
C.強(qiáng)度推定
D.采集
E.計(jì)數(shù)
A.現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)
B.委托檢測(cè)
C.見證檢測(cè)
D.抽樣檢測(cè)
A、上水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對(duì)齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時(shí),在避免擾動(dòng)四周的砌體;槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br />
D、M15水泥砂漿試塊試壓
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列是晶體的是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()