懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。