填空題實踐證明,再結晶溫度與金屬變形的程度有關,金屬的變形程度越大,再結晶溫度越()。
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在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱()
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如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
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對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
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載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
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雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
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下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
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PN結的基本特性是()
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