硅片拋光在原理上不可分為（）

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

PN結的基本特性是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）