雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。