半導體獲得廣泛應用的原因是（）

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。

發(fā)射區(qū)推進效應

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

點接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

二極管存在最高工作頻率是因為PN 結(jié)有電容效應。

說明氧化氣氛對擴散有何影響及原因？

OED/ORD

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。