1、時(shí)間與溫度，恒定表面源主要是時(shí)間。
2、硅晶體中存在其他類型的點(diǎn)缺陷

1、原生氧化層
2、屏蔽氧化層
3、遮蔽氧化層
4、場區(qū)和局部氧化層
5、襯墊氧化層
6、犧牲氧化層
7、柵極氧化層
8、阻擋氧化層

1、整形處理：去掉兩端，檢查電阻確定單晶硅達(dá)到合適的摻雜均勻度。
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蝕
5、化學(xué)機(jī)械拋光