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填空題 免可控硅效應(yīng)的方法從（）寄生管的總增益，以及消除寄生晶體管出發(fā)，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入電荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的產(chǎn)生。

1.填空題閂鎖效應(yīng)（可控硅效應(yīng)），是CMOS電路遇到的（）問題。在CMOS電路正常工作時(shí)，由于（）的突然被激發(fā)，器件電流突然（），甚至很快因Al（），使電路失效。

2.填空題開啟電壓（閾值電壓）的高低與柵下半導(dǎo)體中的（），柵氧化層的（）、（）、（）、（）等有關(guān)。載流子濃度越高，開啟電壓的絕對(duì)值（）；柵氧化層厚度越厚，開啟電壓的絕對(duì)值（）。

3.填空題MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開啟電壓指的是：（）。所以，NMOS管的開啟電壓為（），PMOS管的開啟電壓為（）。

4.填空題光刻工藝的分辨率決定于：（）和曝光、顯影、刻蝕條件的正確控制。正膠的分辨率（）于負(fù)膠的分辨率；光刻膠越薄，分辨率越（）。

5.填空題前烘的目的是（）使膠膜中的溶劑只有初始濃度的（）。從而，使膠的（）性能穩(wěn)定。對(duì)正膠，前烘過度會(huì)使非曝光區(qū)的膠（）；前烘不足，會(huì)使膠的感光度（），對(duì)比度（），線條邊緣不陡直。所以，必須嚴(yán)格控制前烘的（）和（）。