光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

PN結的基本特性是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

硅片拋光在原理上不可分為（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）