屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）