A、抗凍性
B、堿-集料反應(yīng)
C、抗炭化性
D、徐變性
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A、穩(wěn)定性
B、可塑性
C、和易性
D、易密性
A.正方
B.立方
C.三斜
D.等軸
A、慢冷
B、室溫冷卻
C、急冷
D、先慢冷再急冷
A、堆積密度大
B、觸變性適當(dāng)
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動(dòng)性好
A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學(xué)組成表示
D、實(shí)驗(yàn)公式表示
最新試題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()