單項(xiàng)選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是()

A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗


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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)于鑄造多晶硅氧濃度越(),鈍化效果越(),少數(shù)載流子壽命增加越()

A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多

3.單項(xiàng)選擇題晶體的生長(zhǎng)方式在人工制備中用的比較少的是()

A.固相生長(zhǎng)
B.液相生長(zhǎng)
C.氣相生長(zhǎng)

4.單項(xiàng)選擇題下列是晶體的是()

A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料

5.單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()

A、線缺陷
B、面缺陷
C、點(diǎn)缺陷
D、體缺陷

最新試題

PN結(jié)的基本特性是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列是晶體的是()。 

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題