單項(xiàng)選擇題在我國(guó)通常稱(chēng)為工業(yè)硅或冶金級(jí)硅含量在()以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
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1.單項(xiàng)選擇題晶體的生長(zhǎng)方式在人工制備中用的比較少的是()
A.固相生長(zhǎng)
B.液相生長(zhǎng)
C.氣相生長(zhǎng)
2.單項(xiàng)選擇題下列是晶體的是()
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
3.單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點(diǎn)缺陷
D、體缺陷
4.單項(xiàng)選擇題硅單質(zhì)是()
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述影響碳酸鈣分解速度的因素。
最新試題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題