單項(xiàng)選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西門(mén)子改良法5、冶金法6、氣液沉淀法7、重?fù)焦鑿U料提純法

A、1234
B、123
C、1456
D、4567


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1.單項(xiàng)選擇題如何從石英砂制取硅？說(shuō)明從石英到單晶硅的工藝的簡(jiǎn)要框圖正確的是（）

A、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)
B、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
C、加料—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
D、加料—→放肩生長(zhǎng)—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于晶體下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.調(diào)整晶體生長(zhǎng)的熱系統(tǒng)，使熱場(chǎng)的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運(yùn)行參數(shù)，例如對(duì)于凸向熔體的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速，調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值

3.單項(xiàng)選擇題硅片制備主要工藝流程是（）

A.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B.單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測(cè)→打包
D.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包

4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體硅工業(yè)產(chǎn)品不包括（）①多晶硅②單晶硅③外延片④非晶硅

A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④

5.單項(xiàng)選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是（）

A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗