單項選擇題關(guān)于晶體下列說法錯誤的是（）

A.調(diào)整晶體生長的熱系統(tǒng)，使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運行參數(shù)，例如對于凸向熔體的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速，調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值


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1.單項選擇題硅片制備主要工藝流程是（）

A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包

3.單項選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是（）

A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗

4.單項選擇題對于鑄造多晶硅氧濃度越（），鈍化效果越（），少數(shù)載流子壽命增加越（）

A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多