單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體硅工業(yè)產(chǎn)品不包括（）①多晶硅②單晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
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1.單項(xiàng)選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是（）
A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
2.單項(xiàng)選擇題對(duì)于鑄造多晶硅氧濃度越（），鈍化效果越（），少數(shù)載流子壽命增加越（）
A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多
3.單項(xiàng)選擇題在我國(guó)通常稱為工業(yè)硅或冶金級(jí)硅含量在（）以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
4.單項(xiàng)選擇題晶體的生長(zhǎng)方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長(zhǎng)
B.液相生長(zhǎng)
C.氣相生長(zhǎng)
5.單項(xiàng)選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題