A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
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A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測→切片→晶片研磨及磨邊→打包
A、3
B、5
C、4
D、2
A、1234
B、123
C、1456
D、4567
A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
B、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
改良西門子法的顯著特點不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。