A、3
B、5
C、4
D、2
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A、1234
B、123
C、1456
D、4567
A、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)
B、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
C、加料—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
D、加料—→放肩生長(zhǎng)—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
A.調(diào)整晶體生長(zhǎng)的熱系統(tǒng)，使熱場(chǎng)的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運(yùn)行參數(shù)，例如對(duì)于凸向熔體的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速，調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值
A.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B.單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測(cè)→打包
D.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
下列是晶體的是（）。
在光線(xiàn)作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。