A、3
B、5
C、4
D、2
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A、1234
B、123
C、1456
D、4567
A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
B、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長
A.調整晶體生長的熱系統(tǒng),使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調節(jié)拉晶的運行參數,例如對于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結晶潛熱使界面趨于平坦
C.調整晶體或者坩堝的轉速,調整高溫液流的增減
D.增大坩堝內徑與晶體直徑的比值
A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
最新試題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現()。
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
改良西門子法的顯著特點不包括()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()