單項選擇題
看圖判斷下列描述是否正確？（）
A.是有限源擴散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
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1.單項選擇題關(guān)于硅的熱氧化，下面哪種說法正確？（）
A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應(yīng)是在Si/SiO2界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長速率
2.多項選擇題CMOSIC通常采取那種隔離方法（）
A.局部場氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離
3.多項選擇題可以采取哪種方法來提高光刻分辨率（）
A.增長光源波長
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長
4.多項選擇題下列哪個工藝方法應(yīng)用了等離子體技術(shù)（）
A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD
5.單項選擇題實際VPE工藝溫度多在質(zhì)量傳遞控制區(qū)，此時外延速率（）
A.對溫度不太敏感
B.對溫度非常敏感
C.源的氣相擴散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大
最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝的特點包括（）。
題型：多項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題