多項選擇題CMOSIC通常采取那種隔離方法（）
A.局部場氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離
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1.多項選擇題可以采取哪種方法來提高光刻分辨率（）
A.增長光源波長
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長
2.多項選擇題下列哪個工藝方法應用了等離子體技術（）
A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD
3.單項選擇題實際VPE工藝溫度多在質(zhì)量傳遞控制區(qū)，此時外延速率（）
A.對溫度不太敏感
B.對溫度非常敏感
C.源的氣相擴散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大