常壓的硅外延方法有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。