IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。