馬來西亞的公司，全套半導(dǎo)體生產(chǎn)業(yè)務(wù)供應(yīng)廠商。
最新試題
猝滅劑
陰極射線致發(fā)光
本征光電導(dǎo)
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
內(nèi)光電效應(yīng)
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
光電導(dǎo)效應(yīng)