半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說(shuō)法。

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

內(nèi)光電效應(yīng)

一般說(shuō)的14nm工藝線(xiàn)指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)

等離子體

光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。

MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV