刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。