判斷題MOS器件的長度L會影響器件的閃爍噪聲，并且呈正相關(guān)。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
3.單項(xiàng)選擇題如果編譯器沒有進(jìn)行特殊處理，那么size of A的大小為（）。
A.0
B.4
C.8
D.12
4.單項(xiàng)選擇題權(quán)限為755的文件，下列哪個(gè)是正確的權(quán)限位標(biāo)記？（）
A.-rwxrwxrwx
B.-rw-r-xr-x
C.-rwxr-xr-x
D.-rwxrw-r-x
5.單項(xiàng)選擇題（）工藝就是往晶圓片中注入離子，生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體的工藝。
A.氧化
B.摻雜
C.光刻
D.蝕刻
最新試題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列對焊接可靠性無影響的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題