單項(xiàng)選擇題權(quán)限為755的文件，下列哪個(gè)是正確的權(quán)限位標(biāo)記？（）
A.-rwxrwxrwx
B.-rw-r-xr-x
C.-rwxr-xr-x
D.-rwxrw-r-x
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1.單項(xiàng)選擇題（）工藝就是往晶圓片中注入離子，生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體的工藝。
A.氧化
B.摻雜
C.光刻
D.蝕刻
2.單項(xiàng)選擇題集成電路制造過程中，把版圖轉(zhuǎn)移到晶圓的過程叫（）。
A.設(shè)計(jì)規(guī)則
B.封裝
C.光刻
D.測(cè)試
3.單項(xiàng)選擇題通常講的28nm工藝，是指（）。
A.wafer的直徑
B.管芯的大小
C.晶體管的面積
D.晶體管溝道長(zhǎng)度
4.單項(xiàng)選擇題下列電路實(shí)現(xiàn)形式中，哪一種是無比邏輯？（）
A.NMOS
B.CMOS
C.TTL
D.ECL
5.單項(xiàng)選擇題下列表達(dá)式中，和Y=（A+B）·（C·D）邏輯等價(jià)的是（）
A.Y=（A·B）·（C+D）
B.Y=（A+B）+（C+D）
C.Y=（A·B）·（C·D）
D.Y=?。ǎˋ·B）·（C+D））
最新試題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來到大眾視線
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對(duì)設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題