什么是MOS器件的體效應？

材料根據流經材電流的不同可分為三類（）。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。