由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？