由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。