判斷題擴(kuò)散的低壓工藝有多晶、氮化硅和TEOS。
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根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
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下面關(guān)于BGA的特點(diǎn),說法錯誤的是()。
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使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
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引線鍵合的常用技術(shù)有()。
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以下不屬于打碼目的的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序,而倒裝芯片則合二為一。
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AUBM的形成可以采用()方法。
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WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
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鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題