QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整，而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。

常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。

AUBM的形成可以采用（）方法。

載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。

制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。

根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。

WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。

按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。

鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。