問答題進(jìn)一步提高M(jìn)ESFET性能的措施是什么?
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收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型:判斷題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無法調(diào)整,而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
題型:判斷題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型:判斷題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題