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問(wèn)答題建立器件模型的目的是什么？

進(jìn)行電路模擬

1.問(wèn)答題器件產(chǎn)生二階效應(yīng)的原因有哪些？

2.問(wèn)答題器件二階效應(yīng)的主要表現(xiàn)有哪些？

表現(xiàn)：L和W變化遷移率退化溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)短溝道效應(yīng)引起閾值電壓的變化窄夠到效應(yīng)引起的閾值電壓的變化

3.問(wèn)答題按比例縮小的三種方案是什么？

恒電場(chǎng)、恒電壓、準(zhǔn)恒電壓

4.問(wèn)答題采用恒電場(chǎng)縮減方案，縮減因子為α?xí)r的優(yōu)點(diǎn)是什么？

優(yōu)點(diǎn)：電路密度增加到1/a^2、功耗降低1/a^2、器件時(shí)延降低a倍即器件速率提升a倍、線(xiàn)路上延遲不變、優(yōu)值增加a^2倍

5.問(wèn)答題MOS管的動(dòng)態(tài)特性是什么？受哪些因素影響？尺寸縮小對(duì)動(dòng)態(tài)特性的影響是什么？