問(wèn)答題氧化膜厚度的測(cè)定方法？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題熱氧化常見(jiàn)的缺陷有？
2.問(wèn)答題為何熱氧化時(shí)要控制鈉離子含量？降低鈉離子污染的措施有哪些？
3.問(wèn)答題影響熱氧化層電性的電荷來(lái)源有哪些類型？降低這些電荷濃度的措施？
4.問(wèn)答題影響氧化速率的因素有？
5.問(wèn)答題熱氧化工藝有哪些？
最新試題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型：判斷題
下列對(duì)焊接可靠性無(wú)影響的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題