IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CMP的設備構成包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。