試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。

PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當(dāng)前實際工藝中使用的主要方法及理由。

試說明半導(dǎo)體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

點接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

薄層電阻

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。