下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。