改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

下列是晶體的是（）。 

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）