光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。