光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。